Configuration
Courant - Drain Continu (Id)
Tension Drain-Source (Vdss)
Tyoe de FET
Boîtier
Puissance Max.
Technologies
Température
Type de montage
Emballage
Fabricant
Compare Mfg. Part# Price Inventaire Livraison Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Tyoe de FET Puissance Max. Technologies Température Configuration Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications
Image de 2N7000 BULK MEI

2N7000 BULK MEI

TRANSISTOR CANAL N 200mA 625mW 60VOLT TO-92
MEI Semiconductor
A partir de $0.08500 USD
4000 14 Semaines 60V 200mA - 625mWatt - -55°C à +150°C - À Trou Traversant TO-92 (Sac) En Vrac Mei Semiconductor 2N7000.pdf
Image de 2N7002 TR MEI

2N7002 TR MEI

TRANSISTOR MOSFET CANAL-N 60VOLT 115mA 225mWATT SOT-23
MEI Semiconductor
A partir de $0.02100 USD
2000 24 Semaines 60V 115mA - 225mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor 2N7002.pdf
Image de 2N7002DW MEI

2N7002DW MEI

TRANSISTOR MOSFET 60VOLTS 115mA 380mW 2N-CANAL SOT-363 (SC-88)
MEI Semiconductor
A partir de $0.02640 USD
2600 8 Semaines 60V - - - 115mA 380mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-363 (SC-88) Bande et Bobine Mei Semiconductor 2N7002DW.pdf
Image de 2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2

TRANSISTOR MOSFET CANAL-N 60VOLT 300mA 500mW (Ta) SOT23-3
Infineon Technologies
A partir de $0.03100 USD
2800 6 Semaines 60V Canal N MOSFET (Metal Oxide) - 300mA (Ta) 500mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier 2N7002 Infineon.pdf
Image de 2N7002W-7-F

2N7002W-7-F

TRANSISTOR MOSFET CANAL-N 60VOLT 115mA 200mWATT SOT-323
Diodes Inc.
Appelez-nous pour connaître le prix
0 16 Semaines 60V 115mA - 200mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-323 , SC-70 Bande et Bobine Diodes Inc. 2N7002W.pdf
Image de AO3442

AO3442

N-Canaux Mosfet 100V 1.4WATT SOT-23-3
Alpha & Omega Semiconductor
A partir de $0.07800 USD
0 6 100V Canal N MOSFET (Metal Oxide) - 1A (Ta) 1.4 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Alpha & Omega Semiconductor AO3442.pdf
Image de AO3442 T/R MEI

AO3442 T/R MEI

N-Canaux Mosfet 100V 1.56WATT SOT-23-3
MEI Semiconductor
A partir de $0.06600 USD
0 6 100V Canal N MOSFET (Metal Oxide) - 1A (Ta) 1.56 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Mei Semiconductor AO3442 MEI.pdf
Image de AO4842

AO4842

MOSFET 2 CANAUX N 30VOLT 2WATT 8-SOIC
Alpha & Omega Semiconductor
A partir de $0.19500 USD
2650 30 WEEKS 30V - - 2 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine Alpha & Omega Semiconductor AO4842.pdf
Image de AOD403 T/R

AOD403 T/R

MOSFET CANAL P 30V 15A (Ta) 70A (Tc) 2.5W (Ta) 90W MONTAGE EN SURFACE TO-252-3 (DPAK)
Alpha & Omega Semiconductor
A partir de $0.32000 USD
2000 12 Semaines 30V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) - 15A 2.5 Watt -55°C à +175°C Montage en Surface TO-252-3 Bande et Bobine Alpha & Omega Semiconductor AOD403.pdf
Image de BSN20BKR

BSN20BKR

TRANSISTOR N-CANAL 60VOLTS 265mA (Ta) 310mW (Ta) TO-236AB (SOT23)
NXP Semiconductors
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2300 8 Semaines 60V 265mA - 310mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine NXP Semiconductors BSN20BK.pdf
Image de BSS138 T/R MEI

BSS138 T/R MEI

MOSFET N-CANAL 50VOLTS 200mA 225mW SOT-23
MEI Semiconductor
A partir de $0.03800 USD
212880 6 Semaines 50V 200mA - 225mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor BSS138.pdf
Image de BSS138-7-F

BSS138-7-F

MOSFET N-CANAL 50VOLTS 200mA 300mW SOT-23
Diodes Inc.
Appelez-nous pour connaître le prix
554 8 Semaines 50V 200mA - 300mWatt - -50°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Diodes Inc. BSS138 -Diodes Inc.pdf
Image de CSD87333Q3D

CSD87333Q3D

MOSFET MATRICES 2 CANAL N 30VOLT 15AMP 6WATT 8-VSON (3.3x3.3)
Texas Instruments
A partir de $0.36000 USD
0 10 Semaines 30V Niveau logique Gate MOSFET (Metal Oxide) 2 à Canal N (Double), Asymétriques 15A 6 Watt 150°C Montage en Surface 8-VSON Bande et Bobine Texas Instruments csd87333q3d.pdf
Image de DMG1016V-7

DMG1016V-7

MOSFET CANAUX N ET P 20VOLT 503mW SOT-563
Diodes Inc.
A partir de $0.06500 USD
2700 8 Semaines 20V Niveau logique Gate MOSFET (Metal Oxide) Canaux N et P 870mA, 640mA 530mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-563 Bande et Bobine Diodes Inc. DMG1016V-7.pdf
Image de DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

MOSFET 2 CANAUX N 30 VOLT 400mA 280mW SOT-353
Diodes Inc.
A partir de $0.09500 USD
400 32 WEEKS 30V 400mA - 280mW - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-353 Bande et Bobine Diodes Inc. DMN32D2LDF.pdf
Image de DMN6140L-7

DMN6140L-7

MOSFET CANAL N 1.6A (Ta) 700mW (Ta) Vdss=60V SOT-23-3
Diodes Inc.
A partir de $0.04200 USD
2300 6 60V Canal N MOSFET (Metal Oxide) - 1.6A (Ta) 700mWatt -55°C à +105°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Diodes Inc. DMN6140L.pdf
Image de DMP2120U-7

DMP2120U-7

P-CHANNEL MOSFET 3.8A(Ta) 800Mw VGS±8v SOT-23-3
Diodes Inc.
A partir de $0.04250 USD
2900 20V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) - 3.8A (Ta) 800mW (Ta) -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Diodes Inc. DMP2120U.pdf
Image de FDD6637 T/R MEI

FDD6637 T/R MEI

MOSFET P-CHANNEL 35VOLT Id=13A(ta) , 55A (Tc) DPAK TO-252-3
MEI Semiconductor
$1.25000 USD
0 6 Semaines 30V CANAL P - MOSFET (Metal Oxide) - 3.75 Watt -55°C à +175°C Montage en Surface DPAK (TO-252-3) Bande et Bobine Mei Semiconductor FDD6637.pdf
Image de FDD7N20TM

FDD7N20TM

MOSFET CANAL-N 200V 5A 43WATT D-PAK
onsemi
A partir de $0.29800 USD
0 9 WEEKS 200V Canal N MOSFET (Metal Oxide) - 5A (Tc) 43 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface TO-252-3 Bande et Bobine onsemi FDD7N20TM-D.pdf
Image de FDN337N

FDN337N

MOSFET N-CANAL 30VOLTS Id= 2.2AMP (Ta) 500mWATT SuperSOT-3
onsemi-Fairchild
A partir de $0.12500 USD
1840 RFQ 30V 2.2A - 500mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SuperSOT-3 Bande et Bobine onsemi-Fairchild FDN337N.pdf
Image de FDN5618P

FDN5618P

TRANSISTOR MOSFET 60VOLTS 1.25A 460mW CANAL-P SSOT-3
onsemi-Fairchild
A partir de $0.12500 USD
0 12 Semaines 60V 1.25A - 460mW - -55°C à +150°C - Montage en Surface SSOT-3 Bande et Bobine Fairchild / On Semiconductor FDN5618P-D.pdf
Image de FDS5670 MEI

FDS5670 MEI

MOSFET N-CHANNEL 60VOLT Ta=10AMP Vgs=20VOLT 2.5WATT 8-SOIC
MEI Semiconductor
$3.75000 USD
745 12 Semaines 60V 10A - 2.5 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface 8-SOIC Bande Coupée Mei Semiconductor FDS5670.pdf
Image de FDS6675BZ

FDS6675BZ

MOSFET CANAL P Vdss=30VOLTS Id=11AMP 2.5WATT 8-SOIC
onsemi
A partir de $0.48000 USD
2000 52 WEEKS 30V 11A - 2.5 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine onsemi FDS6675BZ.pdf
Image de FDV301N

FDV301N

MOSFET N-CANAL 25VOLTS Id=220mA (Ta) 350mWATT SOT-23
onsemi
A partir de $0.03550 USD
2690 30 WEEKS 25V Canal N MOSFET (Metal Oxide) - 220mA 350mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine onsemi FDV301N-D.pdf
Image de FDV303N

FDV303N

MOSFET N-CANAL 25VOLTS Id=680mA (Ta) 350mWATT SOT-23
onsemi-Fairchild
A partir de $0.05100 USD
1260 8 Semaines 25V 680mA - 350mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine onsemi-Fairchild FDV303N.pdf